به گزارش خبرنگار فناوری خبرگزاری دانشجو؛ محققان کوچک‌ترین دستگاه حافظه‌دار را ایجاد کرده‌اند، پیشرفتی که ممکن است منجر به تولید تراشه‌های الکترونیکی سریع‌تر، کوچکتر و کم‌مصرف برای دستگاه‌های الکترونیکی و محاسبات الهام گرفته از مغز شود.
دانشمندان دانشگاه تگزاس در ایالات متحده همچنین فیزیکی را پیدا کردند که قابلیت ذخیره‌سازی حافظه متراکم برای این دستگاه‌های کوچک را ایجاد می‌کند.
در تحقیق جدید منتشر شده، دانشمندان اندازه نازک‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی حافظه را کاهش داده و سطح مقطع آن را به اندازه یک نانومترمربع کوچک کردند. به گفته محققان، دستیابی به فیزیکی که قابلیت ذخیره‌سازی حافظه متراکم در این دستگاه‌ها را فراهم می‌کند، آن‌ها را قادر می‌سازد تا اندازه دستگاه را بسیار کوچکتر کنند. آن‌ها بیان کردند که منافذ فوق کوچک در این ماده کلید اصلی برای رسیدن به قابلیت ذخیره‌سازی متراکم است.
دجی آکینونده، یکی از نویسندگان این تحقیق، توضیح داد: «وقتی یک اتم اضافی فلزی وارد منافذ نانویی شود و آن را پر کند، مقداری از رسانایی آن به مواد منتقل می‌شود و این منجر به تغییر یا همان اثر حافظه می‌شود.»
اگرچه آن‌ها از ترکیب دی‌سولفیدمولیبدن بعنوان ماده نانویی اولیه در مطالعات خود استفاده کرده‌اند، اما معتقدند که این کشف می‌تواند برای صدها ماده نازک اتمی مرتبط نیز اعمال شود.
دانشمندان بیان کردند که پرازنده کوچک، تولیدکنندگان را قادر می‌سازد تا تلفن‌ها و کامپیوترهای کم‌حجم بیشتری بسازند و کوچک کردن تراشه نیز در عین افزایش ظرفیت، نیاز به انرژی را کاهش می‌دهد. این به معنای دستگاه‌های سریع‌تر و هوشمندتر است که برای کارکرد انرژی کمتری مصرف می‌کنند.
دستگاه قبلی که در زمان خود باریک‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی حافظه‌دار بود، تنها یک لایه اتمی ضخامت داشت. با این حال، کوچک کردن دستگاه حافظه به معنی نازک‌تر کردن آن نیست، بلکه باید در سطح مقطع کوچکتری نیز ساخته شود.
دستگاه جدید شامل دسته ممریستورهاست، ناحیه‌ای از حافظه که در اطراف اجزای الکتریکی قرار گرفته و می‌تواند مقاومت بین دو پایانه را بدون نیاز به پایانه سوم در بخش میانی، اصلاح کند. به گفته محققان، این دستگاه‌ها می‌توانند کوچکتر از دستگاه‌های حافظه‌ای باشند که حال حاضر استفاده می‌شوند و دارای ظرفیت ذخیره‌سازی بیشتری هستند.
آن‌ها گفتند که ممریستور جدید ظرفیت حدود ۲۵ ترابیت در سانتی‌مترمربع را محقق خواهد کرد که در حدود ۱۰۰ برابر بیشتر از تراکم حافظه در هر لایه، در مقایسه با دستگاه‌های حافظه فلش تجاری است.
نظر شما